Infineon Technologies - PTFB191501E V1 - FET RF LDMOS 150W H36248-2 - PTFB191501EV1
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PTFB191501E V1
- FET RF LDMOS 150W H36248-2 - PTFB191501EV1
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PTFB191501E V1
制造商型号:
PTFB191501E V1
制造商:
Infineon Technologies
描述:
FET RF LDMOS 150W H36248-2
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表
PTFB191501E,F
产品相片
2-Flatpack, Fin Leads
标准包装
50
类别
分立半导体产品
家庭
RF FET
系列
-
包装
托盘
晶体管类型
LDMOS
频率
1.99GHz
增益
18dB
电压 - 测试
30V
额定电流
-
噪声系数
-
电流 - 测试
1.2A
功率 - 输出
150W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
2-扁平封装,叶片引线
供应商器件封装
H-36248-2
其它名称
SP000695468
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
PTFB191501E V1
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www.szcwdz.com.cn
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型号: PTFB191501E V1 品牌: Infineon Technologies 备注: FET RF LDMOS 150W H36248-2
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Q Q:
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