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Infineon Technologies - PTFA260851EV1R250 - 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9 - PTFA260851EV1R250
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PTFA260851EV1R250|Infineon Technologies
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PTFA260851EV1R250
制造商型号： PTFA260851EV1R250
制造商： Infineon Technologies
描述： 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:2.7 GHz
增益:14 dB
输出功率:85 W
汲极/源极击穿电压:65 V
漏极连续电流:900 mA
闸/源击穿电压:12 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:H-30248-2
封装:Reel
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:437.5 W

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