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Infineon Technologies - IPP120N04S4-02 - MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1 - IPP120N04S402
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IPP120N04S4-02|Infineon Technologies
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IPP120N04S4-02
制造商型号: IPP120N04S4-02
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IPx120N04S4-02
产品相片 TO-220-3
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)134nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)10740pF @ 25V
功率 - 最大值158W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3-1
其它名称IPP120N04S402AKSA1
SP000764734

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IPP120N04S4-02
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