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| IPI80N08S207AKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IPI80N08S2-07 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 75V 80A I2PAK-3 OptiMOS RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IPI80N08S207AKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IPI80N08S207AKSA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPI80N08S207AKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: IPI80N08S207AKSA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IPx80N08S2-07 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 75V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.4 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | SP000219043 |
