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Infineon Technologies - IPI020N06NAKSA1 - MOSFET MV POWER MOS - IPI020N06NAKSA1
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IPI020N06NAKSA1|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPI020N06NAKSA1
制造商型号： IPI020N06NAKSA1
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET MV POWER MOS
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:60 V
漏极连续电流:120 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:2 Ohms
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:PG-TO262-3
封装:Tube
下降时间:19 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :210 S
栅极电荷 Qg:106 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:214 W
上升时间:45 ns
商标名:OptiMOS
典型关闭延迟时间:51 ns

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