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Infineon Technologies - IPG20N06S4L26AATMA1 - MOSFET 55V 50mOhm 20Amp - IPG20N06S4L26AATMA1
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IPG20N06S4L26AATMA1|Infineon Technologies
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IPG20N06S4L26AATMA1
制造商型号： IPG20N06S4L26AATMA1
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET 55V 50mOhm 20Amp
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:20 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:50 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDSON-8
封装:Reel
下降时间:10 ns
栅极电荷 Qg:13 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:51 W
上升时间:3 ns
典型关闭延迟时间:15 ns

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