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Infineon Technologies - IPD60R2K0C6 - MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 - IPD60R2K0C6
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IPD60R2K0C6|Infineon Technologies
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IPD60R2K0C6
制造商型号: IPD60R2K0C6
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IPD60R2K0C6
产品相片 TO-252-3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2 欧姆 @ 760mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)140pF @ 100V
功率 - 最大值22.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
其它名称IPD60R2K0C6TR
SP000799132

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