创唯电子
Infineon Technologies - IPD600N25N3 G - MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 - IPD600N25N3G
库存查询
您现在的位置: 首页 > 制造商索引 > Infineon Technologies - IPD600N25N3 G - MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 - IPD600N25N3G
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选
IPD600N25N3 G|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPD600N25N3 G
制造商型号: IPD600N25N3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 IPD600N25N3 G
产品相片 TO-252-3
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)25A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2350pF @ 100V
功率 - 最大值136W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
其它名称IPD600N25N3 G-ND
IPD600N25N3 GTR
IPD600N25N3G
SP000676404

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IPD600N25N3 G
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IPD600N25N3 G
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话:400-900-3095 邮箱:sales@szcwdz.com QQ:800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号