PDF查询| 数据列表 | 500V CoolMOS CE Brief |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 应用说明 | 500V CoolMOS CE Application Note |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 超级结 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 7.6A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 500 毫欧 @ 2.3A，13V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 433pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 57W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD50R500CEBTMA1 IPD50R500CEINTR SP000988424 |
