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Infineon Technologies - IPD50N10S3L-16 - MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3 - IPD50N10S3L16
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IPD50N10S3L-16|Infineon Technologies
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IPD50N10S3L-16
制造商型号: IPD50N10S3L-16
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IPD50N10S3L-16
产品相片 TO-252-3
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)50A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)15 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 60µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4180pF @ 25V
功率 - 最大值100W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
产品目录页面1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IPD50N10S3L-16-ND
IPD50N10S3L-16TR
IPD50N10S3L16
SP000386185

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