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Infineon Technologies - IPD50N06S3L-08 - MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms - IPD50N06S3L08
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IPD50N06S3L-08|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPD50N06S3L-08
制造商型号： IPD50N06S3L-08
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55 V
闸/源击穿电压:+/- 16 V
漏极连续电流:50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:7.8 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252
封装:Reel
下降时间:50 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:107 W
上升时间:43 ns
典型关闭延迟时间:47 ns
零件号别名:IPD50N06S3L08XT

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