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Infineon Technologies - IPD180N10N3G - MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V - IPD180N10N3G
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IPD180N10N3G|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPD180N10N3G
制造商型号： IPD180N10N3G
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:100 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:43 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:18 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252
封装:Reel
下降时间:5 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:71 W
上升时间:12 ns
系列:IPD180N10
商标名:OptiMOS
典型关闭延迟时间:19 ns
零件号别名:IPD180N10N3GBTMA1

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