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Infineon Technologies - IPB14N03LA G - MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK - IPB14N03LAG
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IPB14N03LA G|Infineon Technologies
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IPB14N03LA G
制造商型号: IPB14N03LA G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IPB14N03LA G
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Discontinuation 04/Jun/2009
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)13.6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1043pF @ 15V
功率 - 最大值46W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3
其它名称IPB14N03LAGXT
SP000085264

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