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Infineon Technologies - IPB065N15N3GE818XT - MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor - IPB065N15N3GE818XT
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IPB065N15N3GE818XT|Infineon Technologies
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IPB065N15N3GE818XT
制造商型号： IPB065N15N3GE818XT
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:150 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:6.5 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-TO263-7
封装:Reel
下降时间:14 ns
栅极电荷 Qg:70 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:300 W
上升时间:35 ns
系列:IPB065N15
典型关闭延迟时间:46 ns
零件号别名:IPB065N15N3GE8187ATMA1

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