PDF查询| 数据列表 | IPB019N06L3 G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 120A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.9 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 196µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 166nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 28000pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB019N06L3 G-ND IPB019N06L3G SP000453020 |
