| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB011N04N G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB011N04N G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IPB011N04NGXT [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB011N04NG [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB011N04NGATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB011N04NG [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB011N04NG) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB011N04NG [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB011N04N G) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB011N04NGXT [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB011N04NGATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB011N04N G [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263
| 搜索 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N CH, 180A, 40V, PG-TO263-7
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB011N04NGATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 40 V 1.1 mOhm 188 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK-7 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB011N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IPB011N04N G 品牌： Infineon 库存编号： 898-6918 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB011N04N G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 180A 40V PG-TO263-7  | 查价格库存 查看详细 |
 | IPB011N04NG Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IPB011N04N G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 180A 40V PG-TO263-7 | 查价格库存 查看详细 |
 | IPB011N04N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB011N04N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IPB011N04N G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263-7, D2Pak |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 180A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.1 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 20000pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 其它名称 | SP000388298 |
