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IPA65R380E6XKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IPA65R380E6 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6 RoHS: Compliant | 搜索 |
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IPA65R380E6 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin TO-220FP Tube (Alt: IPA65R380E6) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IPA65R380E6XKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack - Rail/Tube (Alt: IPA65R380E6XKSA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IPA65R380E6XKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 650V, 10.6A, 31W, PG-TO220-3-FP
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IPA65R380E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP 型号:IPA65R380E6 仓库库存编号:IPA65R380E6-ND 别名:IPA65R380E6XKSA1 <br>SP000795282 <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IPx65R380E6 |
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产品相片 | TO-220AB |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 10.6A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 380 毫欧 @ 3.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 320µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 710pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 31W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | PG-TO-220-FP |
其它名称 | SP000795282 |