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| IPA65R110CFDXKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IPA65R110CFD [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO220FP CoolMOS CFD2 RoHS: Compliant | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IPx65R110CFD |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 31.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 110 毫欧 @ 12.7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1.3mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 118nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3240pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 34.7W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
| 其它名称 | IPA65R110CFDXKSA1 SP000895230 |
