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Infineon Technologies - IPA60R199CP - MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 - IPA60R199CP
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IPA60R199CP|Infineon Technologies
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IPA60R199CP
制造商型号: IPA60R199CP
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IPA60R199CP
产品相片 TO-220AB
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)16A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)199 毫欧 @ 9.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1520pF @ 100V
功率 - 最大值34W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装PG-TO-220-FP
其它名称SP000094146

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IPA60R199CP
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