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Infineon Technologies - IPA093N06N3 G - MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 - IPA093N06N3G
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IPA093N06N3 G|Infineon Technologies
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IPA093N06N3 G
制造商型号: IPA093N06N3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IPA093N06N3 G
产品相片 TO-220AB
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)43A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)9.3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 34µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3900pF @ 30V
功率 - 最大值33W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装PG-TO220-3-31 整包
其它名称IPA093N06N3G
IPA093N06N3GXKSA1
SP000451088

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