数据列表 | IKD10N60RF |
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产品相片 | TO-252-3 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | TrenchStop™ |
包装 | 带卷 (TR) |
IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V,10A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 30A |
功率 - 最大值 | 150W |
Switching Energy | 190µJ(开),160µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 64nC |
Td (on/off) A 25°C | 12ns/168ns |
Test Condition | 400V, 10 A, 26 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 72ns |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
其它名称 | IKD10N60RF-TR IKD10N60RFATMA1 SP000969366 |