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Infineon Technologies - FS50R06W1E3_B11 - IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V - FS50R06W1E3B11
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FS50R06W1E3_B11|Infineon Technologies
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FS50R06W1E3_B11
制造商型号： FS50R06W1E3_B11
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
产品:IGBT Silicon Modules
配置:IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.45 V
在25 C的连续集电极电流:70 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:205 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:Module
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:SMD/SMT

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