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Infineon Technologies - BSZ086P03NS3E G - MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 - BSZ086P03NS3EG
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BSZ086P03NS3E G|Infineon Technologies
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BSZ086P03NS3E G
制造商型号: BSZ086P03NS3E G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 BSZ086P03NS3E G
产品相片 8-TSDSON
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.9V @ 105µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)57.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4785pF @ 15V
功率 - 最大值69W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
其它名称BSZ086P03NS3E G-ND
BSZ086P03NS3EG
SP000473016

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