PDF查询| 数据列表 | BSZ086P03NS3E G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-TSDSON |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 40A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 105µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 57.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4785pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 69W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 其它名称 | BSZ086P03NS3E G-ND BSZ086P03NS3EG SP000473016 |
