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型号	制造商	描述	操作
BSZ018NE2LS [更多]	Infineon Technologies AG	MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS RoHS: Compliant	搜索
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BSZ018NE2LSATMA1 [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R RoHS: Compliant	搜索
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BSZ018NE2LSIATMA1 [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R RoHS: Compliant	搜索

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BSZ018NE2LSIXT [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSZ018NE2LSIATMA1) RoHS: Compliant	搜索
BSZ018NE2LS [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP (Alt: BSZ018NE2LS) RoHS: Compliant	搜索
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BSZ018NE2LSATMA1 [更多]	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R	搜索
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BSZ018NE2LSATMA1
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 39 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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BSZ018NE2LSIATMA1
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Infineon Technologies AG

Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 36 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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BSZ018NE2LS
制造商型号： BSZ018NE2LS
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
技术参考：

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产品信息

数据列表	BSZ018NE2LS
产品相片	8-TSDSON
标准包装	5,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	OptiMOS™
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	23A （Ta）， 40A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	1.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	2800pF @ 12V
功率 - 最大值	2.1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
其它名称	BSZ018NE2LS-ND BSZ018NE2LSATMA1 SP000756338

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