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Infineon Technologies - BSS316N H6327 - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 - BSS316NH6327
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BSS316N H6327|Infineon Technologies
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BSS316N H6327
制造商型号: BSS316N H6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 BSS316N
产品相片 SOT-23-3
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.4A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)160 毫欧 @ 1.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)94pF @ 15V
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装PG-SOT23-3
其它名称BSS316N H6327-ND
BSS316NH6327
BSS316NH6327XTSA1
SP000928948

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