PDF查询| 数据列表 | BSS119 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 28/Mar/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 170mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 78pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 360mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BSS119 BSS119E6327XT BSS119INTR BSS119XTINTR BSS119XTINTR-ND SP000011161 |
