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Infineon Technologies - BSP149H6327XTSA1 - MOSFET SIPMOS Sm-Signal 200V 1.8Ohms 660mA - BSP149H6327XTSA1
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BSP149H6327XTSA1|Infineon Technologies
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BSP149H6327XTSA1
制造商型号： BSP149H6327XTSA1
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET SIPMOS Sm-Signal 200V 1.8Ohms 660mA
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:0.66 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:1 Ohms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-SOT-223
封装:Reel
下降时间:21 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :0.4 S
栅极电荷 Qg:11 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:1.8 W
上升时间:3.4 ns
系列:BSP149
典型关闭延迟时间:45 ns
零件号别名:SP000438732

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