PDF查询| 数据列表 | BSP123 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 370mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6 欧姆 @ 370mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.79W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP123XTINTR |
