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Infineon Technologies - BSO330N02K G - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8 - BSO330N02KG
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BSO330N02K G|Infineon Technologies
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BSO330N02K G
制造商型号: BSO330N02K G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 BSO330N02K G
产品相片 8-SOIC
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)4.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)730pF @ 10V
功率 - 最大值1.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装PG-DSO-8
其它名称BSO330N02K G-ND
BSO330N02K GINTR
SP000380284

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