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Infineon Technologies - BSM35GP120G - IGBT 模块 1200V 35A PIM - BSM35GP120G
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BSM35GP120G
制造商型号： BSM35GP120G
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 1200V 35A PIM
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS:否
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.4 V
在25 C的连续集电极电流:45 A
栅极—射极漏泄电流:300 nA
功率耗散:230 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:EconoPIM3
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
工厂包装数量:500

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