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Infineon Technologies - BSM10GD120DN2E3224 - IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A - BSM10GD120DN2E3224
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BSM10GD120DN2E3224
制造商型号： BSM10GD120DN2E3224
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 N-CH 1.2KV 15A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.7 V
在25 C的连续集电极电流:15 A
栅极—射极漏泄电流:120 nA
功率耗散:80 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:EconoPACK 2
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw

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