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Infineon Technologies - BSM100GB120DN2 - IGBT 模块 1200V 100A DUAL - BSM100GB120DN2
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BSM100GB120DN2|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BSM100GB120DN2
制造商型号： BSM100GB120DN2
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 1200V 100A DUAL
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS: 符合
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.5 V
在25 C的连续集电极电流:150 A
栅极—射极漏泄电流:200 nA
功率耗散:800 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:Half Bridge2
栅极/发射极最大电压:20 V
安装风格:Screw
工厂包装数量:500

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