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Infineon Technologies - BSC082N10LS G - MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 - BSC082N10LSG
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BSC082N10LS G|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSC082N10LS G
制造商型号: BSC082N10LS G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 BSC082N10LS G
产品相片 8-PowerTDFN
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8.2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)104nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)7400pF @ 50V
功率 - 最大值156W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8
其它名称BSC082N10LS G-ND
BSC082N10LSG
SP000379609

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