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| BSC057N08NS3GATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N CH, 80V, 100A, TDSON-8
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PDF查询| 数据列表 | BSC057N08NS3 G BSC057N08NS3 G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 16A （Ta）， 100A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 73µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3900pF @ 40V |
| 功率 - 最大值 | 114W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名称 | BSC057N08NS3 G-ND BSC057N08NS3 GTR BSC057N08NS3G SP000447542 |
