数据列表 | BSC026N02KS G |
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产品相片 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 25A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2.6 毫欧 @ 50A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 200µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 52.7nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7800pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 78W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
其它名称 | BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KSG SP000379664 |