| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | 查看库存、价格及货期 | ||||
PDF查询| 数据列表 | BSB017N03LX3 G |
|---|---|
| 产品相片 | BSF030NE2LQ |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 147A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 102nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7800pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-WDSON |
| 供应商器件封装 | MG-WDSON-2，CanPAK M? |
| 其它名称 | BSB017N03LX3 G-ND BSB017N03LX3G SP000604468 |
