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Infineon Technologies - BSB013NE2LXI - MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 - BSB013NE2LXI
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BSB013NE2LXI|Infineon Technologies
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BSB013NE2LXI
制造商型号: BSB013NE2LXI
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 BSB013NE2LXI
产品相片 BSF030NE2LQ
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)36A (Ta), 163A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.3 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)62nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4400pF @ 12V
功率 - 最大值2.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳3-WDSON
供应商器件封装MG-WDSON-2,CanPAK M?
其它名称BSB013NE2LXI-ND
BSB013NE2LXIXUMA1
SP000756346

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