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Infineon Technologies - BFR 193F E6327 - 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR - BFR193FE6327
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BFR 193F E6327
制造商型号： BFR 193F E6327
制造商： Infineon Technologies
描述： 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频双极小信号晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:NPN
最大工作频率:8 GHz
集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V
发射极 - 基极电压 VEBO:2 V
集电极连续电流:0.08 A
功率耗散:580 mW
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:TSFP-3
封装:Reel
直流电流增益 hFE 最大值:70 at 30 mA at 8 V
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
零件号别名:BFR193FE6327XT

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