PDF查询| 数据列表 | BFP640FESD |
|---|---|
| 产品相片 | TSFP-4 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 4.7V |
| 频率 - 跃迁 | 46GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| 增益 | 8B ~ 30.5dB |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 110 @ 30mA，3V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 其它名称 | BFP640FESDH6327XTSA1 SP000890034 |
