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Infineon Technologies - BF 888 H6327 - 射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTOR - BF888H6327
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BF 888 H6327|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BF 888 H6327
制造商型号： BF 888 H6327
制造商： Infineon Technologies
描述： 射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTOR
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频双极电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
直流集电极/Base Gain hfe Min:250
集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V
发射极 - 基极电压 VEBO:13 V
集电极连续电流:30 mA
功率耗散:160 mW
封装 / 箱体:SOT-343
封装:Reel
最大工作温度:+ 150 C
最小工作温度:- 55 C
安装风格:SMD/SMT
系列:BF888
晶体管极性:NPN
零件号别名:BF888H6327XTSA1

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