| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BCR 164L3 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | BCR 164L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3 型号：BCR 164L3 E6327 仓库库存编号：BCR 164L3 E6327-ND 别名：BCR164L3E6327XT <br>SP000014869 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | BCR164 |
|---|---|
| 产品相片 | TSLP-3-1 |
| 标准包装 | 15,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 频率 - 跃迁 | 160MHz |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 供应商器件封装 | PG-TSLP-3 |
| 其它名称 | BCR164L3E6327XT SP000014869 |
