数据列表 | MMIX1X200N60B3H1 |
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标准包装 | 20 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | GenX3™, XPT™ |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.7V @ 15V,100A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 175A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 1000A |
功率 - 最大值 | 520W |
Switching Energy | 2.85mJ (开), 2.9mJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 315nC |
Td (on/off) A 25°C | 48ns/160ns |
Test Condition | 360V, 100A, 1 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 100ns |
封装/外壳 | 24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘 |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | 24-SMPD |