PDF查询| 数据列表 | MMIX1F360N15T2 |
|---|---|
| 标准包装 | 20 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ HiPerFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 235A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 715nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 47500pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 680W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
