PDF查询| 数据列表 | M(II,ID,DI)100-12A3 |
|---|---|
| 标准包装 | 6 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | NPT |
| 配置 | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 135A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 5mA |
| 不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 5.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 560W |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y4-M5 |
| 供应商器件封装 | Y4-M5 |
