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IXYS - IXTY08N100P - MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 - IXTY08N100P
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IXTY08N100P|IXYS
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IXTY08N100P
制造商型号: IXTY08N100P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IXT(A,P,Y)08N100P
产品相片 TO-263
标准包装  70
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Polar™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)800mA (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)20 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)11.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)240pF @ 25V
功率 - 最大值42W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)

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