数据列表 | IXT(P,U,Y)02N50D |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 耗尽模式 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 200mA (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 30 欧姆 @ 50mA,0V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 120pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |