PDF查询| 数据列表 | IXT(H,V)110N25T(S) |
|---|---|
| 产品相片 | IXTV110N25TS |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Dec/2012 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 110A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 157nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 694W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PLUS-220SMD |
| 供应商器件封装 | PLUS-220SMD |
