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| IXTU1R4N60P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXTU1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXYS MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251 详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-251 型号：IXTU1R4N60P 仓库库存编号：IXTU1R4N60P-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IXT(P,U,Y)1R4N60P |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PolarHV™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.4A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 9 欧姆 @ 700mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | TO-251 |
