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IXYS - IXTU01N80 - MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 - IXTU01N80
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IXTU01N80|IXYS
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IXTU01N80
制造商型号: IXTU01N80
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IXT(U,Y)01N80
产品相片 DPAK_369D?01
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100mA (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)50 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)60pF @ 25V
功率 - 最大值25W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装TO-251

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