| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IXTP36N30T [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
| IXTP36N30T [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 RoHS: Compliant | 搜索 |
| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET, N-CH, 300V, 36A, TO-220
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| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | Single N-Channel 300 V 110 mOhm 300 W Power Mosfet - TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IXTP36N30P [更多] | IXYS Corporation | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 300V, 36A, 300W, TO220AB
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| IXTP36N30 | IXYS | MOSFET，N沟道，300V，36A，TO220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB 型号：IXTP36N30P 仓库库存编号：IXTP36N30P-ND |  | 搜索 |
 | IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） TO-220AB 型号：IXTP36N30T 仓库库存编号：IXTP36N30T-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | IXTP36N30 IXYS | MOSFET，N沟道，300V，36A，TO220 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 97 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 24 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2250 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 尺寸 | 10.66 x 4.83 x 9.15mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 300000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 300 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.11 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 36 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 高度 | 9.15mm |
